Проектирование кюветов

Кюветы устраиваются в выемках, нулевых местах и на участках низких (до 1 м) насыпей. Так как грунт по трассе песок мелкий, то глубина кювета назначается 0,4 м.

Проектирование кюветов предусматривает проектирование дна кювета и назначение укрепления дна и откосов кюветов. Тип укрепления в зависимости от продольного уклона принят следующий:

- одерновка откосов и дна кювета при i до 10 ‰;

- одерновка откосов и укрепление дна гравием (щебнем) при i от 10 до 30 ‰;

- мощение откосов и дна камнем, бетонными плитами при i от 30 до 50 ‰.

Дно кювета располагается параллельно проектной линии (бровке земляного полотна) ниже её на глубину кювета hk = 0,4. Начало (конец) кювета определяют по величине рабочих отметок насыпей и выемок в точках, расположенных слева и справа от нулевой точки.

Рисунок 3 – Схема к определению положения нулевой точки и начала кювета

. (38)

Начало и конец кюветов, тип укрепления, а также продольный профиль представлены на листе 2.

Статьи о транспорте:

Расчет на прочность основных деталей и расчет систем двигателя
Расчет поршневой группы Поршневая группа двигателя включает: поршень, поршневой палец, поршневые кольца и детали крепления пальца (стопорные кольца). Основное ее назначение: а) Образование вместе со стенками цилиндра и поверхностью камеры сгорания пространства переменного объема, в котором совер ...

Механизм переключения и привод управления
Механизм переключения передач раздаточной коробки имеет блокирующее устройство (замок), препятствующее включению понижающей передачи, если выключен передний мост, или включению моста, если включена понижающая передача. Блокирующее устройство предохраняет механизмы привода колес заднего ведущего м ...

Выбор и краткая характеристика электрических аппаратов
На основании расчетов пункта 4.2 производим выбор полупроводниковых элементов системы управления. Элементы подбираем по следующим критериям: – длительный рабочий ток; – максимальная амплитуда тока в открытом состоянии; – допустимое обратное напряжение. По условиям выбора полупроводниковых элем ...